声明
严正声明：本站非期刊官网，非中介代理。
本站仅提供学术规范服务：快速预审、润色编辑服务、中英文查重、降重、去重服务、推荐合适的期刊投稿等学术规范服务。 如需提供学术规范服务请联系在线编辑。
国内刊号：32-1429/V
国际刊号：1005-2615
发布日期:
作者：陈佳年，沈鸿烈，李玉芳，张静喆，李贺超，张文浩
单位：南京航空航天大学材料科学与技术学院，江苏省能量转换材料与技术重点实验室，南京 211106；,南京航空航天大学材料科学与技术学院，江苏省能量转换材料与技术重点实验室，南京 211106；,南京航空航天大学材料科学与技术学院，江苏省能量转换材料与技术重点实验室，南京 211106；,南京航空航天大学材料科学与技术学院，江苏省能量转换材料与技术重点实验室，南京 211106；,南京航空航天大学材料科学与技术学院，江苏省能量转换材料与技术重点实验室，南京 211106；,南京航空航天大学材料科学与技术学院，江苏省能量转换材料与技术重点实验室，南京 211106；
关键词：单晶硅;金属辅助化学腐蚀法;倒金字塔结构;自供电;异质结光电探测器
基金：国家自然科学基金（61174084）。
随着光电器件的进一步发展，陷光结构得到广泛关注，但是倒金字塔结构、尺寸与其陷光性能之间的关系有待深入研究。本文采用铜银共辅助腐蚀法制备倒金字塔结构并实现倒金字塔结构的尺寸在1 μm以下调控，研究发现平均尺寸为1 μm倒金字塔结构具有最优异的陷光性能。将具有优异陷光性能的倒金字塔结构硅衬底应用于Si/PEDOT：PSS异质结光电探测器，该光电探测器在外加0 V偏压条件下对980 nm波长的光具有61 mA/W的响应度和9.20×1012 Jones的比探测率，实现了卓越的光电响应性能。本文为高性能Si/PEDOT：PSS异质结光电探测器的制备提供了一种新思路，证明了倒金字塔结构具有广阔的应用前景。
来源：2024年第1期
《南京航空航天大学学报》期刊编辑部
严正声明：本站非期刊官网，非中介代理。
本站仅提供学术规范服务：快速预审、润色编辑服务、中英文查重、降重、去重服务、推荐合适的期刊投稿等学术规范服务。 如需提供学术规范服务请联系在线编辑。